Henrique Carreiro em 2025-10-08
A ascensão da IA generativa quebrou a cadência do sector da memória. Onde antes havia um balanço previsível entre excesso e escassez, instalou-se uma escassez persistente, centrada sobretudo em HBM (High Bandwidth Memory) e em DRAM (Dynamic RAM). A primeira tornou-se o coração do treino dos modelos de linguagem; a segunda sustenta servidores que precisam de mais capacidade e menos latência
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O nó górdio está na HBM. A capacidade cresce, mas devagar: empilhamento 3D, interposers em silício e requisitos de embalagem (advanced packaging) tornam cada incremento um projeto industrial. Acrescente-se que a cadeia de substratos de alta velocidade continua nos limites e percebe-se por que razão a qualificação de novos fornecedores não se traduz, de imediato, em mais módulos disponíveis. Enquanto isso, a procura por GPU para treino e inferência não abranda, e os prazos de entrega alongam-se. Na DRAM, a pressão deslocou-se para módulos RDIMM (usados em servidores) de grande densidade. Os fabricantes privilegiam estes formatos e isso deixa gerações “legadas”, como DDR4, com fornecimento mais irregular. No lado móvel, a LPDDR (para smartphones e portáteis) acompanha a vaga de funcionalidades on-device, puxando as velocidades para cima e estrangulando também a disponibilidade. A NAND flash — a memória não volátil dos SSD — seguiu um trajeto diferente. Depois de cortes de produção e de um restock em PC, smartphones e centros de dados, os preços estabilizaram e iniciaram uma recuperação moderada. É um alívio relativo: continua a ser um mercado sensível a choques de procura e a decisões de capacidade de poucos atores. Em suma, a IA transformou a memória num estrangulamento estratégico. No horizonte de 12a 18 meses, o alívio virá do aparecimento de nova capacidade de HBM e de uma cadeia de packaging mais folgada. Até lá, quem planear com base em acordos de longo prazo, diversificação séria de fornecedores e cobertura parcial de preço terá mais hipóteses de proteger margens e cumprir prazos. |
